مدلی تئوری در بررسی اثر نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
- author مریم فرامرزی هفشجانی
- adviser احسان روزمه
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1392
abstract
اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جملههای خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در این پایاننامه اثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن نوار آلیاژ آمورف co66.59fe3.98mo1.55si18.36b9.52 و تأیید رفتار امپدانس مغناطیسی نامتقارن به کمک یک مدل نظری بررسی شده است. این مدل بر اساس حل هم زمان معادلات ماکسول و لانداو-لیفشیتز برای یک نوار با ضخامت محدود مرکب از یک هسته آمورف داخلی و دو لایه بلور خارجی است. جفت شدگی بین لایه ی سطحی و هسته ی آمورف در جمله های میدان بایاس موثر مطرح می شود نفوذپذیری مغناطیسی ? بر حسب پارامترهای m (مغناطش پذیری اشباع)، ( میدان ناهمسانگردی تک محوری) و (ثابت ژیرومغناطیس)، (پارامتر میرایی گیلبرت) و (زاویه ی تعادل بین بردار مغناطش و محور افقی) است، به دست آمد. زاویه ی را می توان با استفاده از کمینه ی انرژی آزاد، به دست آورد. با نادیده گرفتن حوزه های ساختاری و برهم کنش تبادلی، بیان تحلیلی برای امپدانس فراهم شد و میدان و فرکانس وابسته به امپدانس مورد مطالعه قرار گرفت. در این جا از روش بازپخت جریانی در حضور هوا استفاده شد که موجب ایجاد نامتقارنی ناشی از بایاس تبادلی در نمونه میشود. بهترین نمونه بازپخت شده از لحاظ پاسخ gmi، نسبت به نمونه خام در جریان 500 میلیآمپر به مدت زمان 15 دقیقه بازپخت شده و اندازهگیری gmi مربوط به آن در فرکانس4 مگاهرتز ودامنه جریان متناوب 10 میلی آمپر انجام شد. کلمات کلیدی: امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن، لایه های بلورین، ناهمسانگردی مغناطیسی، آلیاژهای آمورف، نفوذپذیری مغناطیسی،. بازپخت جریانی، حسگرهای مغناطیسی. اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جملههای خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در این پایاننامه اثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن نوار آلیاژ آمورف co66.59fe3.98mo1.55si18.36b9.52 و تأیید رفتار امپدانس مغناطیسی نامتقارن به کمک یک مدل نظری بررسی شده است. این مدل بر اساس حل هم زمان معادلات ماکسول و لانداو-لیفشیتز برای یک نوار با ضخامت محدود مرکب از یک هسته آمورف داخلی و دو لایه بلور خارجی است. جفت شدگی بین لایه ی سطحی و هسته ی آمورف در جمله های میدان بایاس موثر مطرح می شود نفوذپذیری مغناطیسی ? بر حسب پارامترهای m (مغناطش پذیری اشباع)، ( میدان ناهمسانگردی تک محوری) و (ثابت ژیرومغناطیس)، (پارامتر میرایی گیلبرت) و (زاویه ی تعادل بین بردار مغناطش و محور افقی) است، به دست آمد. زاویه ی را می توان با استفاده از کمینه ی انرژی آزاد، به دست آورد. با نادیده گرفتن حوزه های ساختاری و برهم کنش تبادلی، بیان تحلیلی برای امپدانس فراهم شد و میدان و فرکانس وابسته به امپدانس مورد مطالعه قرار گرفت. در این جا از روش بازپخت جریانی در حضور هوا استفاده شد که موجب ایجاد نامتقارنی ناشی از بایاس تبادلی در نمونه میشود. بهترین نمونه بازپخت شده از لحاظ پاسخ gmi، نسبت به نمونه خام در جریان 500 میلیآمپر به مدت زمان 15 دقیقه بازپخت شده و اندازهگیری gmi مربوط به آن در فرکانس4 مگاهرتز ودامنه جریان متناوب 10 میلی آمپر انجام شد. کلمات کلیدی: امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن، لایه های بلورین، ناهمسانگردی مغناطیسی، آلیاژهای آمورف، نفوذپذیری مغناطیسی،. بازپخت جریانی، حسگرهای مغناطیسی. اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جملههای خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در این پایاننامه اثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن نوار آلیاژ آمورف co66.59fe3.98mo1.55si18.36b9.52 و تأیید رفتار امپدانس مغناطیسی نامتقارن به کمک یک مدل نظری بررسی شده است. این مدل بر اساس حل هم زمان معادلات ماکسول و لانداو-لیفشیتز برای یک نوار با ضخامت محدود مرکب از یک هسته آمورف داخلی و دو لایه بلور خارجی است. جفت شدگی بین لایه ی سطحی و هسته ی آمورف در جمله های میدان بایاس موثر مطرح می شود نفوذپذیری مغناطیسی ? بر حسب پارامترهای m (مغناطش پذیری اشباع)، ( میدان ناهمسانگردی تک محوری) و (ثابت ژیرومغناطیس)، (پارامتر میرایی گیلبرت) و (زاویه ی تعادل بین بردار مغناطش و محور افقی) است، به دست آمد. زاویه ی را می توان با استفاده از کمینه ی انرژی آزاد، به دست آورد. با نادیده گرفتن حوزه های ساختاری و برهم کنش تبادلی، بیان تحلیلی برای امپدانس فراهم شد و میدان و فرکانس وابسته به امپدانس مورد مطالعه قرار گرفت. در این جا از روش بازپخت جریانی در حضور هوا استفاده شد که موجب ایجاد نامتقارنی ناشی از بایاس تبادلی در نمونه میشود. بهترین نمونه بازپخت شده از لحاظ پاسخ gmi، نسبت به نمونه خام در جریان 500 میلیآمپر به مدت زمان 15 دقیقه بازپخت شده و اندازهگیری gmi مربوط به آن در فرکانس4 مگاهرتز ودامنه جریان متناوب 10 میلی آمپر انجام شد.
similar resources
اثر بازپخت جریانی میدانی بر نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ نوار آلیاژ آمورف co68.15fe4.35si12.5b15
مناسب ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست یابی به پاسخ امپدانسی مناسب تر به وسیله آلیاژهای آمورف، روش های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان نامه بازپخت میدانی-جریانی روی نمونه انجام گرفته است و اثر آن بر روی امپدانس مغناطیسی و نامتقارنی امپدانس(ami) بررسی شده است....
اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
full textاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
full textاندازه گیری نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ آلیاژ آمورف کبالت پایه در بایاس dc
حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...
15 صفحه اولبررسی وابستگی دمایی امپدانس مغناطیسی بزرگ در نوار و سیم های مغناطیسی کبالت پایه
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نوارهای آمورف کبالت پایه
بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023